长鑫宣布2026年底前推出4F² DDR5 RDIMM

长鑫存储近期宣布，将于2026年底前推出采用4F²记忆单元架构并结合晶圆级混合键合（Hybrid Bonding）技术的新一代服务器DDR5 RDIMM内存。 2026年10月25日，自由时报报道称，多数专家质疑技术路线图不等于商业化量产，认为长鑫“年底推出”的目标多半仅属工程样品阶段，距离克服制造成本与良率、实现大规模量产仍有极大差距。报道还称，长鑫只公布架构方向与年底推出的时间表，未披露该产品的具体传输速率、单条容量、实际良率或第三方测试数据，且仍需通过客户送样与系统验证。 同一报道以“长存靠偷、长鑫靠吹”为题，称长江存储被美光在美国法院反诉窃取营业秘密，长鑫存储被指窃取三星技术，韩国法院今年4月将一名前三星工程师判刑7年。上述窃密指控与判刑信息均来自该媒体单方报道，尚待其他来源核实。目前该产品仍处宣布阶段，量产与上市进展有待后续观察。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。